IRFB4710PBF دیتاشیت

IRFB4710PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRFB4710PBF
حجم فایل 64.487 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IRFB4710PBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRFB4710PBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.8W;200W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 170nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6160pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 75A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,45A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه